- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11507 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/11507
Brevets de cette classe: 574
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Micron Technology, Inc. | 24960 |
176 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
66 |
Intel Corporation | 45621 |
41 |
Kepler Computing Inc. | 221 |
36 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
22 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
18 |
Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
16 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
12 |
Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
11 |
Kioxia Corporation | 9847 |
10 |
Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
9 |
Texas Instruments Incorporated | 19376 |
8 |
NaMLab gGmbH | 23 |
8 |
Xerox Corporation | 7503 |
7 |
Rohm Co., Ltd. | 5843 |
7 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
6 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
5 |
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited | 109 |
5 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
3 |
Autres propriétaires | 94 |